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在集成電路特別是MOS電路的和開發(fā)研制中，MOS電容的C-V測(cè)試是為重要的過(guò)程監(jiān)控測(cè)試手段，通過(guò)C-V測(cè)試達(dá)到優(yōu)化過(guò)程中的參數(shù)，提高IC成品率。
MOS（金屬－氧化物－半導(dǎo)體）結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡(jiǎn)稱C－V特性）。C-V曲線與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有密切的關(guān)系。 利用實(shí)際測(cè)量到的MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線與的MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動(dòng)電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù)。
另外作為組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢(shì)壘電容）。加正向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變窄，勢(shì)壘電容變大；加反向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變寬，勢(shì)壘電容變小。
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CV-5000型電容電壓特性測(cè)試儀是測(cè)試頻率為1MHz的化數(shù)字的電容測(cè)試儀器，既可用于測(cè)試半導(dǎo)體器件PN結(jié)的勢(shì)壘電容在不同偏壓下的電容量，也可進(jìn)行Mos電容的外加電壓掃描測(cè)試，還可測(cè)試其它MIS電容。
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該電容電壓特性測(cè)試系統(tǒng)由主機(jī)和上位機(jī)（PC）組成，并在軟件控制下完成校準(zhǔn)及測(cè)試等功能，同時(shí)顯示C-V電容電壓特性曲線。主機(jī)面板上的發(fā)光二管指示儀器的工作狀態(tài)，用數(shù)碼管組成的顯示板，將被測(cè)元件的數(shù)值，小數(shù)點(diǎn)清晰地顯示出來(lái)。儀器有較高的分辨率，電容量是五位讀數(shù)，可分辮到0.001pF，偏置電壓分辨力為0.1V，漏電流分辨力為0.01uA。
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儀器配有CV-5000型測(cè)量座，接插元件靈活，方便。
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CV-5000型電容電壓特性測(cè)試儀軟件測(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測(cè)試界面的用戶程序，程序操作直觀易用。測(cè)試程序在計(jì)算機(jī)與CV-5000型電容電壓特性測(cè)試測(cè)試儀連接的狀態(tài)下，通過(guò)計(jì)算機(jī)的USB口實(shí)現(xiàn)通訊。
測(cè)試程序控制電容電壓特性測(cè)試測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來(lái)。用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析。
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技 術(shù) 指 標(biāo) ：
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測(cè)試信號(hào)頻率
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1.000MHz±0.01%
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測(cè)試信號(hào)電壓
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小于或等于100mVrms
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電容測(cè)量范圍
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1.000pF～2000.0pF
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工作誤差
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±3.0%±2字
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直流偏壓
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-35V～+35V(可擴(kuò)展)，由軟件按設(shè)定步進(jìn)電壓值輸出偏置電壓；
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軟件功能
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由軟件控制電壓的掃描輸出，讀取不同電壓點(diǎn)的電容值并在電腦中繪出電容-
電壓的變化曲線；
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電腦通訊接口
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USB通訊接口；
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應(yīng)用
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主要應(yīng)用于PN結(jié)摻雜和MOS摻雜C-V特性測(cè)量在不同偏壓下的電容量，也可測(cè)試
其它電容。
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供電電源
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交流電壓：220V±5%；頻率： 50Hz±5%；消耗功率：不大于40W；
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工作環(huán)境
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溫度：0～40℃；濕度：20%~90%RH 40℃；
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